Справочник MOSFET. PV551BA

 

PV551BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV551BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PV551BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV551BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  unikc
 pv551ba.pdf pdf_icon

PV551BA

PV551BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -10V -30V -9ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-7AIDM-40Pulsed Drain Curr

 ..2. Size:360K  niko-sem
 pv551ba.pdf pdf_icon

PV551BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV551BA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m -9A -30V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VG

Другие MOSFET... P5806NVG , PB521BX , PV501BA , PV507BA , PV510BA , PV516DA , PV537BA , PV548BA , 2N7000 , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA , P6002OAG .

History: SML801R4AN

 

 
Back to Top

 


 
.