Справочник MOSFET. PV551BA

 

PV551BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PV551BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 17 ns

Выходная емкость (Cd): 150 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для PV551BA

 

 

PV551BA Datasheet (PDF)

1.1. pv551ba.pdf Size:785K _unikc

PV551BA PV551BA

PV551BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20mΩ @VGS = -10V -30V -9A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage ±25 TA = 25 ° C -9 ID Continuous Drain Current TA = 70 ° C -7 A IDM -40 Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top