PV650BA Todos los transistores

 

PV650BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV650BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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PV650BA Datasheet (PDF)

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PV650BA

PV650BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.5m @VGS = 10V 30V 15A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 12 A IDM 60 Pulsed Drain Current1

Otros transistores... PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , AO3401 , P6002OAG , P6003QEA , P6004ED , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG .

History: P1402CDG | P6003QEA

 

 
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