PV650BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PV650BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PV650BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV650BA даташит

 ..1. Size:458K  unikc
 pv650ba.pdf pdf_icon

PV650BA

PV650BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4.5m @VGS = 10V 30V 15A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 12 A IDM 60 Pulsed Drain Current1

Другие IGBT... PV548BA, PV551BA, PV600BA, PV601CA, PV604CA, PV606BA, PV628BA, PV628DA, AO3401, P6002OAG, P6003QEA, P6004ED, P6006BD, P6006BI, P6006HV, P6010DDG, P6010DTFG