Справочник MOSFET. PV650BA

 

PV650BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV650BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PV650BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  unikc
 pv650ba.pdf pdf_icon

PV650BA

PV650BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.5m @VGS = 10V30V 15ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C12AIDM60Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 6N60KL-TMS-T | AP9478GM | IRFP3206PBF | 2SJ533 | ISCNH340B | CJBD3020 | UF1010A

 

 
Back to Top

 


 
.