Справочник MOSFET. PV650BA

 

PV650BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV650BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PV650BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV650BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  unikc
 pv650ba.pdf pdf_icon

PV650BA

PV650BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.5m @VGS = 10V30V 15ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C12AIDM60Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... PV548BA , PV551BA , PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , AO3400 , P6002OAG , P6003QEA , P6004ED , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG .

History: BSC014N04LSI | S85N042RP | CEM2539A | FDS8874

 

 
Back to Top

 


 
.