P6003QEA Todos los transistores

 

P6003QEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P6003QEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

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P6003QEA Datasheet (PDF)

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P6003QEA

P6003QEAN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel24m @VGS = 10V30V 20A N60m @VGS = -10V-30V -12A PPDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 20TC = 25 CP -12N 13

Otros transistores... PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA , P6002OAG , 8205A , P6004ED , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD .

History: MP9N150

 

 
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