P6003QEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6003QEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6003QEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6003QEA даташит

 ..1. Size:307K  unikc
 p6003qea.pdf pdf_icon

P6003QEA

P6003QEA N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 24m @VGS = 10V 30V 20A N 60m @VGS = -10V -30V -12A P PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 20 TC = 25 C P -12 N 13

Другие IGBT... PV600BA, PV601CA, PV604CA, PV606BA, PV628BA, PV628DA, PV650BA, P6002OAG, IRFP260, P6004ED, P6006BD, P6006BI, P6006HV, P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD