P6003QEA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P6003QEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для P6003QEA
P6003QEA Datasheet (PDF)
p6003qea.pdf

P6003QEAN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel24m @VGS = 10V30V 20A N60m @VGS = -10V-30V -12A PPDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 20TC = 25 CP -12N 13
Другие MOSFET... PV600BA , PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA , P6002OAG , 4435 , P6004ED , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD .
History: NTD20N06-001 | STB55NF03L-1
History: NTD20N06-001 | STB55NF03L-1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet