P6004ED Todos los transistores

 

P6004ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P6004ED
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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P6004ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  unikc
 p6004ed.pdf pdf_icon

P6004ED

P6004ED P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -40V -20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -16 A IDM -80 Pulsed Drain Cu

 9.1. Size:394K  maxpower
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P6004ED

MXP6004CTS Datasheet 60V N-Channel MOSFET VDSS 60 V Applications Power Supply RDS(ON)(Max) 4.0 m DC-DC Converters (Typ) 3.3 m IDa 215A Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP6004CTS TO220

Otros transistores... PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA , P6002OAG , P6003QEA , 4435 , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD , P6015AT .

History: P2710AD | AUIRF7739L2 | CXDM4060P

 

 
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