P6004ED Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P6004ED  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO252

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P6004ED datasheet

 ..1. Size:579K  unikc
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P6004ED

P6004ED P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -40V -20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -16 A IDM -80 Pulsed Drain Cu

 9.1. Size:394K  maxpower
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P6004ED

MXP6004CTS Datasheet 60V N-Channel MOSFET VDSS 60 V Applications Power Supply RDS(ON)(Max) 4.0 m DC-DC Converters (Typ) 3.3 m IDa 215A Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP6004CTS TO220

Otros transistores... PV601CA, PV604CA, PV606BA, PV628BA, PV628DA, PV650BA, P6002OAG, P6003QEA, 4435, P6006BD, P6006BI, P6006HV, P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD, P6015AT