P6004ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P6004ED
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P6004ED

P6004ED Datasheet (PDF)

..1. Size:579K unikc
p6004ed.pdf

P6004EDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V-40V -20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-16AIDM-80Pulsed Drain Cu

9.1. Size:394K maxpower
mxp6004cts.pdf

MXP6004CTS Datasheet 60V N-Channel MOSFET VDSS 60 V Applications: Power Supply RDS(ON)(Max) 4.0 m DC-DC Converters (Typ) 3.3 m IDa 215A Features: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP6004CTS TO220

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: