P6004ED datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6004ED  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6004ED

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6004ED даташит

 ..1. Size:579K  unikc
 p6004ed.pdf pdf_icon

P6004ED

P6004ED P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = -10V -40V -20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -16 A IDM -80 Pulsed Drain Cu

 9.1. Size:394K  maxpower
 mxp6004cts.pdf pdf_icon

P6004ED

MXP6004CTS Datasheet 60V N-Channel MOSFET VDSS 60 V Applications Power Supply RDS(ON)(Max) 4.0 m DC-DC Converters (Typ) 3.3 m IDa 215A Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP6004CTS TO220

Другие IGBT... PV601CA, PV604CA, PV606BA, PV628BA, PV628DA, PV650BA, P6002OAG, P6003QEA, 4435, P6006BD, P6006BI, P6006HV, P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD, P6015AT