Справочник MOSFET. P6004ED

 

P6004ED Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P6004ED
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P6004ED

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6004ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  unikc
 p6004ed.pdf pdf_icon

P6004ED

P6004EDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60m @VGS = -10V-40V -20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-16AIDM-80Pulsed Drain Cu

 9.1. Size:394K  maxpower
 mxp6004cts.pdf pdf_icon

P6004ED

MXP6004CTS Datasheet 60V N-Channel MOSFET VDSS 60 V Applications: Power Supply RDS(ON)(Max) 4.0 m DC-DC Converters (Typ) 3.3 m IDa 215A Features: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP6004CTS TO220

Другие MOSFET... PV601CA , PV604CA , PV606BA , PV628BA , PV628DA , PV650BA , P6002OAG , P6003QEA , 2SK3568 , P6006BD , P6006BI , P6006HV , P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD , P6015AT .

History: FDS4410A | JCS6AN70F | SQ2337ES | AON7518 | 2SK346 | NCE70T900F | AP6901GSM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.