P6402FMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P6402FMG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P6402FMG
P6402FMG Datasheet (PDF)
p6402fmg.pdf
P6402FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 64m @VGS = -4.5V -20V -4A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3 IDM -20 Pulse
Otros transistores... P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD , P6015AT , P6015AV , P6015CDG , P6015CSG , CS150N03A8 , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , PK610SA , PK612DZ , PK615BM6 .
Liste
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