P6402FMG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P6402FMG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: SOT23

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P6402FMG datasheet

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P6402FMG

P6402FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 64m @VGS = -4.5V -20V -4A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3 IDM -20 Pulse

Otros transistores... P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD, P6015AT, P6015AV, P6015CDG, P6015CSG, CS150N03A8, P6403FMG, P6503FM, P6503FM6, P6503FMA, P6803HVG, PK610SA, PK612DZ, PK615BM6