P6402FMG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P6402FMG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.4 nC
Время нарастания (tr): 3.2 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.064 Ohm
Тип корпуса: SOT23
P6402FMG Datasheet (PDF)
..1. Size:593K unikc
p6402fmg.pdf
p6402fmg.pdf
P6402FMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID64m @VGS = -4.5V-20V -4ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-20Pulse
Другие MOSFET... P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD , P6015AT , P6015AV , P6015CDG , P6015CSG , IRFP250N , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , PK610SA , PK612DZ , PK615BM6 .
