Справочник MOSFET. P6402FMG

 

P6402FMG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P6402FMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для P6402FMG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6402FMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  unikc
 p6402fmg.pdf pdf_icon

P6402FMG

P6402FMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID64m @VGS = -4.5V-20V -4ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-20Pulse

Другие MOSFET... P6010DDG , P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD , P6015AT , P6015AV , P6015CDG , P6015CSG , IRLB4132 , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , PK610SA , PK612DZ , PK615BM6 .

History: IPD25DP06LM | SRC65R085B | CJU04N60A | DHB16N06 | IXFX30N100Q2 | SI4423DY | IRF5305LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.