P6402FMG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6402FMG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6402FMG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6402FMG даташит

 ..1. Size:593K  unikc
 p6402fmg.pdf pdf_icon

P6402FMG

P6402FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 64m @VGS = -4.5V -20V -4A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3 IDM -20 Pulse

Другие IGBT... P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD, P6015AT, P6015AV, P6015CDG, P6015CSG, CS150N03A8, P6403FMG, P6503FM, P6503FM6, P6503FMA, P6803HVG, PK610SA, PK612DZ, PK615BM6