Справочник MOSFET. P6402FMG

 

P6402FMG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P6402FMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для P6402FMG

 

 

P6402FMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  unikc
 p6402fmg.pdf

P6402FMG P6402FMG

P6402FMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID64m @VGS = -4.5V-20V -4ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-20Pulse

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top