P6503FMA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P6503FMA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOT23S

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P6503FMA datasheet

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P6503FMA

P6503FMA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55m @VGS = -10V -30V -3.1A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 12 V TA = 25 C -3.1 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.4 IDM -12 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.96

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P6503FMA

P6503FM6 P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 65m @VGS = -4.5V -30V -3.6A SOT-23-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3.6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -3 A IDM -19 Pulsed Drai

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P6503FMA

P6503FM P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 65m @VGS = -4.5V -3.6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3.6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -3 A IDM -19 Pulsed Drain C

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P6503FMA

P6503NJ NIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode TSOPJW-8 Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G GATE 65m N-Channel 30 4A D DRAIN S SOURCE 150m -3A P-Channel -30 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channel P-Channel UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 -30 V Gate-Source Vo

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