Справочник MOSFET. P6503FMA

 

P6503FMA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P6503FMA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 

 Аналог (замена) для P6503FMA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6503FMA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:754K  unikc
p6503fma.pdfpdf_icon

P6503FMA

P6503FMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID55m @VGS = -10V-30V -3.1ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-3.1IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.4IDM-12Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.96

 7.1. Size:483K  unikc
p6503fm6.pdfpdf_icon

P6503FMA

P6503FM6P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID65m @VGS = -4.5V-30V -3.6ASOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3AIDM-19Pulsed Drai

 7.2. Size:367K  unikc
p6503fm.pdfpdf_icon

P6503FMA

P6503FMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 65m @VGS = -4.5V -3.6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3AIDM-19Pulsed Drain C

 9.1. Size:481K  niko-sem
p6503nj.pdfpdf_icon

P6503FMA

P6503NJNIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode TSOPJW-8Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G : GATE 65m N-Channel 30 4A D : DRAIN S : SOURCE150m -3A P-Channel -30 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channel P-Channel UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Vo

Другие MOSFET... P6015AT , P6015AV , P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , IRF1407 , P6803HVG , PK610SA , PK612DZ , PK615BM6 , PK615BMA , PK616BA , PK618BA , PK626BA .

History: ME80N75T | PMK35EP | RJK03C2DPB

 

 
Back to Top

 


 
.