P6503FMA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6503FMA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6503FMA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6503FMA даташит

 ..1. Size:754K  unikc
 p6503fma.pdf pdf_icon

P6503FMA

P6503FMA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55m @VGS = -10V -30V -3.1A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 12 V TA = 25 C -3.1 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.4 IDM -12 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.96

 7.1. Size:483K  unikc
 p6503fm6.pdf pdf_icon

P6503FMA

P6503FM6 P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 65m @VGS = -4.5V -30V -3.6A SOT-23-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3.6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -3 A IDM -19 Pulsed Drai

 7.2. Size:367K  unikc
 p6503fm.pdf pdf_icon

P6503FMA

P6503FM P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 65m @VGS = -4.5V -3.6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3.6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -3 A IDM -19 Pulsed Drain C

 9.1. Size:481K  niko-sem
 p6503nj.pdf pdf_icon

P6503FMA

P6503NJ NIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode TSOPJW-8 Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G GATE 65m N-Channel 30 4A D DRAIN S SOURCE 150m -3A P-Channel -30 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channel P-Channel UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 -30 V Gate-Source Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P6015AT, P6015AV, P6015CDG, P6015CSG, P6402FMG, P6403FMG, P6503FM, P6503FM6, IRFP450, P6803HVG, PK610SA, PK612DZ, PK615BM6, PK615BMA, PK616BA, PK618BA, PK626BA