P6503FMA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P6503FMA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.96 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.3 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 79 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOT23S
P6503FMA Datasheet (PDF)
p6503fma.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P6503FMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID55m @VGS = -10V-30V -3.1ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-3.1IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.4IDM-12Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.96
p6503fm6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P6503FM6P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID65m @VGS = -4.5V-30V -3.6ASOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3AIDM-19Pulsed Drai
p6503fm.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P6503FMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 65m @VGS = -4.5V -3.6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3AIDM-19Pulsed Drain C
p6503nj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P6503NJNIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode TSOPJW-8Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G : GATE 65m N-Channel 30 4A D : DRAIN S : SOURCE150m -3A P-Channel -30 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channel P-Channel UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Vo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .