IRF230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF230

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 30(max) nC

Tiempo de elevación (tr): 50(max) nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450(max) pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRF230 Datasheet (PDF)

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PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

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