IRF230 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF230  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF230

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF230 даташит

 ..2. Size:147K  international rectifier
2n6758 irf230.pdfpdf_icon

IRF230

PD - 90334F IRF230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6758 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF230 200V 0.40 9.0A TO-3 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique

 ..3. Size:216K  samsung
irf230 irf231 irf232 irf233.pdfpdf_icon

IRF230

 0.1. Size:177K  fairchild semi
irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdfpdf_icon

IRF230

Другие IGBT... IRF140, IRF1404, IRF141, IRF142, IRF143, IRF150, IRF151, IRF153, 5N60, IRF240, IRF250, IRF2807, IRF2807L, IRF2807S, IRF3205, IRF3205L, IRF3205S