IRF230 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRF230 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF230

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 30(max) nC

Время нарастания (tr): 50(max) ns

Выходная емкость (Cd): 450(max) pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF230

IRF230 Datasheet (PDF)

..1. irf630 irf631 irf632 irf633 irf230 irf231 irf232 irf233 mtp12n18 mtp12n20.pdf Size:177K _1

..2. 2n6758 irf230.pdf Size:147K _international_rectifier

PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

..3. irf230 irf231 irf232 irf233.pdf Size:216K _samsung