PK6H2BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PK6H2BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1058 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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PK6H2BA datasheet

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PK6H2BA

PK6H2BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.4m @VGS = 10V 30V 108A 100% UIS Tested 100% Rg Tested PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 108 ID Continuous Drain Current4 TC = 100

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