PK6H2BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK6H2BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1058 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK6H2BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK6H2BA даташит

 ..1. Size:916K  unikc
 pk6h2ba.pdf pdf_icon

PK6H2BA

PK6H2BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.4m @VGS = 10V 30V 108A 100% UIS Tested 100% Rg Tested PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 108 ID Continuous Drain Current4 TC = 100

Другие IGBT... PK632BA, PK636BA, PK650BA, PK664BA, PK696BA, PK698SA, PK6A6BA, PK6B2BA, STF13NM60N, PA002FMA, PA002FMG, PA004EM, PA010HK, PA102FDG, PA102FMA, PA102FMG, PA110BC