Справочник MOSFET. PK6H2BA

 

PK6H2BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK6H2BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1058 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK6H2BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK6H2BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:916K  unikc
 pk6h2ba.pdf pdf_icon

PK6H2BA

PK6H2BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4m @VGS = 10V30V 108A100% UIS Tested100% Rg TestedPDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C108IDContinuous Drain Current4TC = 100

Другие MOSFET... PK632BA , PK636BA , PK650BA , PK664BA , PK696BA , PK698SA , PK6A6BA , PK6B2BA , IRF2807 , PA002FMA , PA002FMG , PA004EM , PA010HK , PA102FDG , PA102FMA , PA102FMG , PA110BC .

History: SSM6J501NU | CJPF08N60 | AFN4412W | 2N60G-TND-R | AON6764

 

 
Back to Top

 


 
.