PK6H2BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK6H2BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1058 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
PK6H2BA Datasheet (PDF)
pk6h2ba.pdf
PK6H2BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.4m @VGS = 10V 30V 108A 100% UIS Tested 100% Rg Tested PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 108 ID Continuous Drain Current4 TC = 100
Другие MOSFET... PK632BA , PK636BA , PK650BA , PK664BA , PK696BA , PK698SA , PK6A6BA , PK6B2BA , STF13NM60N , PA002FMA , PA002FMG , PA004EM , PA010HK , PA102FDG , PA102FMA , PA102FMG , PA110BC .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166


