PK6H2BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PK6H2BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1058 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK6H2BA
PK6H2BA Datasheet (PDF)
pk6h2ba.pdf

PK6H2BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4m @VGS = 10V30V 108A100% UIS Tested100% Rg TestedPDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C108IDContinuous Drain Current4TC = 100
Другие MOSFET... PK632BA , PK636BA , PK650BA , PK664BA , PK696BA , PK698SA , PK6A6BA , PK6B2BA , IRF2807 , PA002FMA , PA002FMG , PA004EM , PA010HK , PA102FDG , PA102FMA , PA102FMG , PA110BC .
History: SSM6J501NU | CJPF08N60 | AFN4412W | 2N60G-TND-R | AON6764
History: SSM6J501NU | CJPF08N60 | AFN4412W | 2N60G-TND-R | AON6764



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166