IRF240 Todos los transistores

 

IRF240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF240

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 60 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRF240 Datasheet (PDF)

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PD - 90370REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORS IRF240THRU-HOLE (TO-204AA/AE)200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF240 200V 0.18 18AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design a

0.2. irf240 irf241 irf242 irf243.pdf Size:215K _samsung

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IRF240SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 13.9A RDS(on) 0.180FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

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MOSFET: PKCH2BB | PK650DY | PK537BA | PK501BA | PA910BD | P1825HDB | P1025HDB | SIL3724 | SIL3439K | SIL3415 | SIL3400A | SIL2623 | SIL2322A | SIL2308 | SIL2301 | SIL2300

 

 

 
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