IRF240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF240

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 60(max) nC

Tiempo de elevación (tr): 152(max) nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): TO3

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IRF240 Datasheet (PDF)

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..2. irf240 irf241 irf242 irf243.pdf Size:215K _samsung

0.1. irf240smd.pdf Size:22K _semelab

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Liste

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