IRF240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF240
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 60(max) nC
Tiempo de elevación (tr): 152(max) nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Caja (carcasa): TO3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF240
IRF240 Datasheet (PDF)
..1. irf240.pdf Size:146K _international_rectifier
PD - 90370REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORS IRF240THRU-HOLE (TO-204AA/AE)200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF240 200V 0.18 18AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design a
..2. irf240 irf241 irf242 irf243.pdf Size:215K _samsung
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IRF240SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 13.9A RDS(on) 0.180FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SVG104R5NS | SVG104R5NT | RX80N07 | GWM13S65YRX | GWM13S65YRY | GWM13S65YRD | GWM13S65YRE | DTM4415 | 2SK741 | YSF040N010T1A | YSK038N010T1A | YSP040N010T1A | ZM075N03D | KMK1265F | FNK6075K | CSD30N70