IRF240 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF240  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 152 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF240

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF240 даташит

 ..1. Size:146K  international rectifier
 irf240.pdf pdf_icon

IRF240

PD - 90370 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS IRF240 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF240 200V 0.18 18A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design a

 ..2. Size:215K  samsung
 irf240 irf241 irf242 irf243.pdf pdf_icon

IRF240

 0.1. Size:22K  semelab
 irf240smd.pdf pdf_icon

IRF240

IRF240SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 13.9A RDS(on) 0.180 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Другие IGBT... IRF1404, IRF141, IRF142, IRF143, IRF150, IRF151, IRF153, IRF230, BS170, IRF250, IRF2807, IRF2807L, IRF2807S, IRF3205, IRF3205L, IRF3205S, IRF330