PA203EMG Todos los transistores

 

PA203EMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PA203EMG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de PA203EMG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PA203EMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  unikc
 pa203emg.pdf pdf_icon

PA203EMG

PA203EMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID120m @VGS = -10V-30V -2.6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-2.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.1IDM-10

 9.1. Size:81K  jiangsu
 tpa2030nnd03.pdf pdf_icon

PA203EMG

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TPA2030NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B TOP DESCRIPTION (1.21.20.5) unit: mm PNP Epitaxial planar Silicon Transistor B E C FEATURES C 1. BASE Collector current is large. BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) -250mA At IC

Otros transistores... PA102FDG , PA102FMA , PA102FMG , PA110BC , PA110BD , PA110BDA , PA110BL , PA110BV , IRF1405 , PA210BC , PA210BL , PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG .

History: NCE85H21C | NTJS4405NT1 | SHD225628

 

 
Back to Top

 


 
.