Справочник MOSFET. PA203EMG

 

PA203EMG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PA203EMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.3 nC
   Время нарастания (tr): 36 ns
   Выходная емкость (Cd): 65 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PA203EMG

 

 

PA203EMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  unikc
 pa203emg.pdf

PA203EMG PA203EMG

PA203EMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID120m @VGS = -10V-30V -2.6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-2.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.1IDM-10

 9.1. Size:81K  jiangsu
 tpa2030nnd03.pdf

PA203EMG

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TPA2030NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B TOP DESCRIPTION (1.21.20.5) unit: mm PNP Epitaxial planar Silicon Transistor B E C FEATURES C 1. BASE Collector current is large. BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) -250mA At IC

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top