Справочник MOSFET. PA203EMG

 

PA203EMG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA203EMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PA203EMG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA203EMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  unikc
 pa203emg.pdf pdf_icon

PA203EMG

PA203EMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID120m @VGS = -10V-30V -2.6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-2.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.1IDM-10

 9.1. Size:81K  jiangsu
 tpa2030nnd03.pdf pdf_icon

PA203EMG

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TPA2030NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B TOP DESCRIPTION (1.21.20.5) unit: mm PNP Epitaxial planar Silicon Transistor B E C FEATURES C 1. BASE Collector current is large. BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) -250mA At IC

Другие MOSFET... PA102FDG , PA102FMA , PA102FMG , PA110BC , PA110BD , PA110BDA , PA110BL , PA110BV , IRF1405 , PA210BC , PA210BL , PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG .

History: SPI11N60C3 | 2SK2576 | IRFS840 | TPA60R150C | CTLDM7003-M621 | SIB452DK | AP2311GN-HF

 

 
Back to Top

 


 
.