PA203EMG - аналоги и даташиты транзистора

 

PA203EMG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PA203EMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PA203EMG

 

PA203EMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  unikc
 pa203emg.pdf pdf_icon

PA203EMG

PA203EMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = -10V -30V -2.6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -2.6 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.1 IDM -10

 9.1. Size:81K  jiangsu
 tpa2030nnd03.pdf pdf_icon

PA203EMG

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TPA2030NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B TOP DESCRIPTION (1.2 1.2 0.5) unit mm PNP Epitaxial planar Silicon Transistor B E C FEATURES C 1. BASE Collector current is large. BACK 2. EMITTER Collector saturation voltage is low. 3. COLLECTOR VCE (sat) -250mA At IC

Другие MOSFET... PA102FDG , PA102FMA , PA102FMG , PA110BC , PA110BD , PA110BDA , PA110BL , PA110BV , IRF830 , PA210BC , PA210BL , PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG .

 

 
Back to Top

 


 
.