PA410BD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PA410BD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO252

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PA410BD datasheet

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PA410BD

PA410BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 140m @VGS = 10V 100V 10A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 7 A IDM 30 Pulsed Drain Curren

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PA410BD

N-Channel Enhancement Mode PA410BD NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 2. DRAIN 100V 140m 10A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

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PA410BD

N-Channel Enhancement Mode PA410BTF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 100V 140m 10A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

Otros transistores... PA110BV, PA203EMG, PA210BC, PA210BL, PA210HK, PA210HV, PA210HVA, PA406EM, RU7088R, PA502FMG, PA504EM, PA504EV, PA606BMG, PA606HAG, PA610AD, PA610ATF, PA610DD