PA410BD datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PA410BD 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PA410BD
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PA410BD даташит
pa410bd.pdf
PA410BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 140m @VGS = 10V 100V 10A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 7 A IDM 30 Pulsed Drain Curren
pa410bd.pdf
N-Channel Enhancement Mode PA410BD NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 2. DRAIN 100V 140m 10A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =
pa410btf.pdf
N-Channel Enhancement Mode PA410BTF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 100V 140m 10A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC
Другие IGBT... PA110BV, PA203EMG, PA210BC, PA210BL, PA210HK, PA210HV, PA210HVA, PA406EM, RU7088R, PA502FMG, PA504EM, PA504EV, PA606BMG, PA606HAG, PA610AD, PA610ATF, PA610DD
History: AP4604P | DHS042N15E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l



