PA502FMG Todos los transistores

 

PA502FMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PA502FMG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PA502FMG

 

PA502FMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  unikc
 pa502fmg.pdf pdf_icon

PA502FMG

PA502FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -1.9 A IDM -12 P

Otros transistores... PA203EMG , PA210BC , PA210BL , PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , MMIS60R580P , PA504EM , PA504EV , PA606BMG , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF .

 

 
Back to Top

 


 
.