Справочник MOSFET. PA502FMG

 

PA502FMG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA502FMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PA502FMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  unikc
 pa502fmg.pdf pdf_icon

PA502FMG

PA502FMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID150m @VGS = -4.5V-20V -3ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-1.9AIDM-12P

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HGB110N10SL | UPA3753GR | IPD50R280CE | SM4372NSKP | SFS06R03PF | NDT6N70 | BRD50P06

 

 
Back to Top

 


 
.