PA502FMG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA502FMG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA502FMG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA502FMG даташит

 ..1. Size:536K  unikc
 pa502fmg.pdf pdf_icon

PA502FMG

PA502FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -1.9 A IDM -12 P

Другие IGBT... PA203EMG, PA210BC, PA210BL, PA210HK, PA210HV, PA210HVA, PA406EM, PA410BD, MMIS60R580P, PA504EM, PA504EV, PA606BMG, PA606HAG, PA610AD, PA610ATF, PA610DD, PA610DTF