PA504EV Todos los transistores

 

PA504EV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PA504EV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PA504EV

 

PA504EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  unikc
 pa504ev.pdf pdf_icon

PA504EV

PA504EV P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150m @VGS = -10V -40V -2.7A SOP- 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -2.7 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C -2.1 A IDM -15 Pulsed Dra

 8.1. Size:379K  unikc
 pa504em.pdf pdf_icon

PA504EV

PA504EM P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150m @VGS = -10V -40V -1.5A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -1.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -1.1 IDM -9 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.5 PD

Otros transistores... PA210BL , PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG , PA504EM , AO4407A , PA606BMG , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA .

 

 
Back to Top

 


 
.