PA504EV - аналоги и даташиты транзистора

 

PA504EV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PA504EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для PA504EV

 

PA504EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  unikc
 pa504ev.pdf pdf_icon

PA504EV

PA504EV P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150m @VGS = -10V -40V -2.7A SOP- 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -2.7 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C -2.1 A IDM -15 Pulsed Dra

 8.1. Size:379K  unikc
 pa504em.pdf pdf_icon

PA504EV

PA504EM P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 150m @VGS = -10V -40V -1.5A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -1.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -1.1 IDM -9 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.5 PD

Другие MOSFET... PA210BL , PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG , PA504EM , AO4407A , PA606BMG , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA .

 

 
Back to Top

 


 
.