Справочник MOSFET. PA504EV

 

PA504EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA504EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PA504EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA504EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  unikc
 pa504ev.pdf pdf_icon

PA504EV

PA504EVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID150m @VGS = -10V -40V -2.7ASOP- 8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-2.7IDContinuous Drain Current2TA = 70 C-2.1AIDM-15Pulsed Dra

 8.1. Size:379K  unikc
 pa504em.pdf pdf_icon

PA504EV

PA504EMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID150m @VGS = -10V-40V -1.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C-1.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-1.1IDM-9Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.5PD

Другие MOSFET... PA210BL , PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG , PA504EM , AO3407 , PA606BMG , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA .

History: SIHFP17N50L

 

 
Back to Top

 


 
.