PA606BMG Todos los transistores

 

PA606BMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PA606BMG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de PA606BMG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PA606BMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  unikc
 pa606bmg.pdf pdf_icon

PA606BMG

PA606BMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID55V 180m @VGS = 10V 1.6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 55VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C1.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C1AIDM11Pulsed Drain Current

 9.1. Size:310K  unikc
 pa606hag.pdf pdf_icon

PA606BMG

PA606HAGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID55V 160m @VGS = 10V 1.8ATSOP- 06ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 55VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C1.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C1.4AIDM11Pulsed Drain Curr

Otros transistores... PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG , PA504EM , PA504EV , IRFB7545 , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU .

History: CS3N100F | IRF6715M | CTD06N7P5

 

 
Back to Top

 


 
.