PA606BMG Todos los transistores

 

PA606BMG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PA606BMG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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PA606BMG Datasheet (PDF)

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PA606BMG

PA606BMG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55V 180m @VGS = 10V 1.6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 55 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 1.6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 1 A IDM 11 Pulsed Drain Current

 9.1. Size:310K  unikc
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PA606BMG

PA606HAG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55V 160m @VGS = 10V 1.8A TSOP- 06 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 55 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 1.8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 1.4 A IDM 11 Pulsed Drain Curr

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History: IXFR230N20T | IXFR200N10P | IXFR20N80P

 

 
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