PA606BMG - аналоги и даташиты транзистора

 

PA606BMG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PA606BMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PA606BMG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA606BMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  unikc
 pa606bmg.pdf pdf_icon

PA606BMG

PA606BMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID55V 180m @VGS = 10V 1.6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 55VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C1.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C1AIDM11Pulsed Drain Current

 9.1. Size:310K  unikc
 pa606hag.pdf pdf_icon

PA606BMG

PA606HAGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID55V 160m @VGS = 10V 1.8ATSOP- 06ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 55VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C1.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C1.4AIDM11Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... PA210HK , PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG , PA504EM , PA504EV , AO4468 , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU .

 

 
Back to Top

 


 
.