PB5A2BA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PB5A2BA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: PDFN2X2S

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PB5A2BA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PB5A2BA datasheet

 ..1. Size:807K  unikc
 pb5a2ba.pdf pdf_icon

PB5A2BA

PB5A2BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 4.5V 20V 11A 100% RG Test PDFN 2X2S 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 9 A IDM

 8.1. Size:306K  niko-sem
 pb5a2bx.pdf pdf_icon

PB5A2BA

PB5A2BX N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 9m 11A D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

Otros transistores... PA504EV, PA606BMG, PA606HAG, PA610AD, PA610ATF, PA610DD, PA610DTF, PA610NV, IRF840, PB5G2JU, PE5A0DZ, PE5A1BA, PE5G6EA, PK5A1BA, PK5C8EA, PK5G6EA, PB210BC