PB5A2BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB5A2BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X2S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB5A2BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5A2BA даташит

 ..1. Size:807K  unikc
 pb5a2ba.pdf pdf_icon

PB5A2BA

PB5A2BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 4.5V 20V 11A 100% RG Test PDFN 2X2S 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 9 A IDM

 8.1. Size:306K  niko-sem
 pb5a2bx.pdf pdf_icon

PB5A2BA

PB5A2BX N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 9m 11A D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

Другие IGBT... PA504EV, PA606BMG, PA606HAG, PA610AD, PA610ATF, PA610DD, PA610DTF, PA610NV, IRF840, PB5G2JU, PE5A0DZ, PE5A1BA, PE5G6EA, PK5A1BA, PK5C8EA, PK5G6EA, PB210BC