Справочник MOSFET. PB5A2BA

 

PB5A2BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB5A2BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB5A2BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5A2BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  unikc
 pb5a2ba.pdf pdf_icon

PB5A2BA

PB5A2BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 4.5V20V 11A100% RG TestPDFN 2X2S 100% UIL TestABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C11IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C9 AIDM

 8.1. Size:306K  niko-sem
 pb5a2bx.pdf pdf_icon

PB5A2BA

PB5A2BX N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 9m 11A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Application

Другие MOSFET... PA504EV , PA606BMG , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , IRF840 , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC .

History: S10H08R | 7N65G-TF3T-T | AP30H80G | TSM2303CX | YJD80N03A | SI2341 | SI4825DY

 

 
Back to Top

 


 
.