PB5G2JU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PB5G2JU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TDFN2X3-6

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PB5G2JU datasheet

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PB5G2JU

PB5G2JU Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m @VGS = 4.5V 20V 12A 1,2 S1 3 G1 4 G2 5,6 S2 7 D1/D2 TDFN 2X3-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 10 V TA = 25 C 12 ID Continuous Drain Current TA= 7

Otros transistores... PA606BMG, PA606HAG, PA610AD, PA610ATF, PA610DD, PA610DTF, PA610NV, PB5A2BA, 20N60, PE5A0DZ, PE5A1BA, PE5G6EA, PK5A1BA, PK5C8EA, PK5G6EA, PB210BC, PB210BD