PB5G2JU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB5G2JU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TDFN2X3-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB5G2JU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5G2JU даташит

 ..1. Size:795K  unikc
 pb5g2ju.pdf pdf_icon

PB5G2JU

PB5G2JU Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m @VGS = 4.5V 20V 12A 1,2 S1 3 G1 4 G2 5,6 S2 7 D1/D2 TDFN 2X3-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 10 V TA = 25 C 12 ID Continuous Drain Current TA= 7

Другие IGBT... PA606BMG, PA606HAG, PA610AD, PA610ATF, PA610DD, PA610DTF, PA610NV, PB5A2BA, 20N60, PE5A0DZ, PE5A1BA, PE5G6EA, PK5A1BA, PK5C8EA, PK5G6EA, PB210BC, PB210BD