PB5G2JU - аналоги и даташиты транзистора

 

PB5G2JU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PB5G2JU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TDFN2X3-6

 Аналог (замена) для PB5G2JU

 

PB5G2JU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  unikc
 pb5g2ju.pdf pdf_icon

PB5G2JU

PB5G2JU Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m @VGS = 4.5V 20V 12A 1,2 S1 3 G1 4 G2 5,6 S2 7 D1/D2 TDFN 2X3-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 10 V TA = 25 C 12 ID Continuous Drain Current TA= 7

Другие MOSFET... PA606BMG , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , 20N60 , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD .

 

 
Back to Top

 


 
.