Справочник MOSFET. PB5G2JU

 

PB5G2JU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB5G2JU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TDFN2X3-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PB5G2JU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  unikc
 pb5g2ju.pdf pdf_icon

PB5G2JU

PB5G2JUDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 4.5V20V 12A1,2:S13:G14:G25,6:S27:D1/D2TDFN 2X3-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 10 VTA = 25 C12IDContinuous Drain CurrentTA= 7

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AF5N60S | IXTP60N28TM-A | SWF4N65D | BL2N60-P | BSS84N3 | RUH1H139S | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.