PE5A0DZ Todos los transistores

 

PE5A0DZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE5A0DZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3S
 

 Búsqueda de reemplazo de PE5A0DZ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PE5A0DZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:874K  unikc
 pe5a0dz.pdf pdf_icon

PE5A0DZ

PE5A0DZDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 4.5V20V 55APDFN 3X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TC = 25 C55TC = 100 C35IDContinuous Drain Current2TA = 25 C19ATA =

 ..2. Size:719K  niko-sem
 pe5a0dz.pdf pdf_icon

PE5A0DZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5A0DZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 6m 55A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losse

Otros transistores... PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , IRF540 , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI .

History: KI2304DS | HSU80N03

 

 
Back to Top

 


 
.