PE5A0DZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5A0DZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5A0DZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5A0DZ даташит

 ..1. Size:874K  unikc
 pe5a0dz.pdf pdf_icon

PE5A0DZ

PE5A0DZ Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 4.5V 20V 55A PDFN 3X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C 55 TC = 100 C 35 ID Continuous Drain Current2 TA = 25 C 19 A TA =

 ..2. Size:719K  niko-sem
 pe5a0dz.pdf pdf_icon

PE5A0DZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5A0DZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 6m 55A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losse

Другие IGBT... PA606HAG, PA610AD, PA610ATF, PA610DD, PA610DTF, PA610NV, PB5A2BA, PB5G2JU, IRF540N, PE5A1BA, PE5G6EA, PK5A1BA, PK5C8EA, PK5G6EA, PB210BC, PB210BD, PB210BI