PE5A0DZ - аналоги и даташиты транзистора

 

PE5A0DZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE5A0DZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S

 Аналог (замена) для PE5A0DZ

 

PE5A0DZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:874K  unikc
 pe5a0dz.pdf pdf_icon

PE5A0DZ

PE5A0DZ Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 4.5V 20V 55A PDFN 3X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C 55 TC = 100 C 35 ID Continuous Drain Current2 TA = 25 C 19 A TA =

 ..2. Size:719K  niko-sem
 pe5a0dz.pdf pdf_icon

PE5A0DZ

Dual N-Channel Enhancement Mode PE5A0DZ NIKO-SEM PDFN 3x3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 6m 55A Features Patent Pending. Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losse

Другие MOSFET... PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , IRF540N , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI .

History: IXFR30N110P | P2504BDG

 

 
Back to Top

 


 
.