PE5A1BA Todos los transistores

 

PE5A1BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE5A1BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 551 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

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PE5A1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  unikc
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PE5A1BA

PE5A1BAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6.5m @VGS = -4.5V -20V -43APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-43 TC = 100 C-27IDContinuous Drain Current4 TA = 25

 ..2. Size:266K  niko-sem
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PE5A1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5A1BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 6.5m -43A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switch

Otros transistores... PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , IRF540N , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM .

History: HGA155N15S | SSM5N05FU | STD35NF06T4

 

 
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