Справочник MOSFET. PE5A1BA

 

PE5A1BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE5A1BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 551 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE5A1BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5A1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  unikc
 pe5a1ba.pdf pdf_icon

PE5A1BA

PE5A1BAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6.5m @VGS = -4.5V -20V -43APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-43 TC = 100 C-27IDContinuous Drain Current4 TA = 25

 ..2. Size:266K  niko-sem
 pe5a1ba.pdf pdf_icon

PE5A1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5A1BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 6.5m -43A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switch

Другие MOSFET... PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , IRF540N , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.