PE5A1BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PE5A1BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE5A1BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 551 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P

 Аналог (замена) для PE5A1BA

 

PE5A1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  unikc
 pe5a1ba.pdf pdf_icon

PE5A1BA

PE5A1BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6.5m @VGS = -4.5V -20V -43A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C -43 TC = 100 C -27 ID Continuous Drain Current4 TA = 25

 ..2. Size:266K  niko-sem
 pe5a1ba.pdf pdf_icon

PE5A1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5A1BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 6.5m -43A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switch

Другие MOSFET... PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , IRF540 , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM .

History: DE275X2-102N06A | CJV01N65B | CTLDM303N-M832DS | P5015BTF | CJU02N65

 

 
Back to Top

 


 
.