PE5A1BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5A1BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 551 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5A1BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5A1BA даташит

 ..1. Size:880K  unikc
 pe5a1ba.pdf pdf_icon

PE5A1BA

PE5A1BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6.5m @VGS = -4.5V -20V -43A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C -43 TC = 100 C -27 ID Continuous Drain Current4 TA = 25

 ..2. Size:266K  niko-sem
 pe5a1ba.pdf pdf_icon

PE5A1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE5A1BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 6.5m -43A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switch

Другие IGBT... PA610AD, PA610ATF, PA610DD, PA610DTF, PA610NV, PB5A2BA, PB5G2JU, PE5A0DZ, IRF540, PE5G6EA, PK5A1BA, PK5C8EA, PK5G6EA, PB210BC, PB210BD, PB210BI, PB210BM