PK5A1BA Todos los transistores

 

PK5A1BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK5A1BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 542 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
     - Selección de transistores por parámetros

 

PK5A1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  unikc
 pk5a1ba.pdf pdf_icon

PK5A1BA

PK5A1BAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = -4.5V -20V -48A100% UIS Tested100% Rg TestedPDFN 5x6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-48 TC = 100 C-30IDCont

 ..2. Size:203K  niko-sem
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PK5A1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5A1BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-20V 6 m -48A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: VBZE50P03 | FCH20N60 | NCE65N260F | IPB60R190C6

 

 
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