PK5A1BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PK5A1BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PK5A1BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P

 Аналог (замена) для PK5A1BA

 

PK5A1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  unikc
 pk5a1ba.pdf pdf_icon

PK5A1BA

PK5A1BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = -4.5V -20V -48A 100% UIS Tested 100% Rg Tested PDFN 5x6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C -48 TC = 100 C -30 ID Cont

 ..2. Size:203K  niko-sem
 pk5a1ba.pdf pdf_icon

PK5A1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5A1BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D -20V 6 m -48A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D

Другие MOSFET... PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , IRFP460 , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV .

 

 
Back to Top

 


 
.