Справочник MOSFET. PK5A1BA

 

PK5A1BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK5A1BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5A1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  unikc
 pk5a1ba.pdf pdf_icon

PK5A1BA

PK5A1BAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = -4.5V -20V -48A100% UIS Tested100% Rg TestedPDFN 5x6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-48 TC = 100 C-30IDCont

 ..2. Size:203K  niko-sem
 pk5a1ba.pdf pdf_icon

PK5A1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5A1BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-20V 6 m -48A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CS5N60A4H | SM4805DSK | IRC630PBF | IXFX30N100Q2 | 2N3994 | NCE60P08AS | 2SK2667

 

 
Back to Top

 


 
.