Справочник MOSFET. PK5A1BA

 

PK5A1BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK5A1BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK5A1BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5A1BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  unikc
 pk5a1ba.pdf pdf_icon

PK5A1BA

PK5A1BAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = -4.5V -20V -48A100% UIS Tested100% Rg TestedPDFN 5x6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-48 TC = 100 C-30IDCont

 ..2. Size:203K  niko-sem
 pk5a1ba.pdf pdf_icon

PK5A1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5A1BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-20V 6 m -48A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D

Другие MOSFET... PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , IRF640 , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV .

History: 2SK3413LS | 2SK30ATM | SSW65R080SFD3 | 2SK3355-Z

 

 
Back to Top

 


 
.