PK5A1BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK5A1BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK5A1BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5A1BA даташит

 ..1. Size:807K  unikc
 pk5a1ba.pdf pdf_icon

PK5A1BA

PK5A1BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = -4.5V -20V -48A 100% UIS Tested 100% Rg Tested PDFN 5x6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C -48 TC = 100 C -30 ID Cont

 ..2. Size:203K  niko-sem
 pk5a1ba.pdf pdf_icon

PK5A1BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5A1BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D -20V 6 m -48A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D

Другие IGBT... PA610DD, PA610DTF, PA610NV, PB5A2BA, PB5G2JU, PE5A0DZ, PE5A1BA, PE5G6EA, IRFP460, PK5C8EA, PK5G6EA, PB210BC, PB210BD, PB210BI, PB210BM, PB210BTF, PB210BV