PK5C8EA Todos los transistores

 

PK5C8EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK5C8EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 624 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK5C8EA Datasheet (PDF)

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PK5C8EA

PK5C8EAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.4m @VGS = 10V30V 82APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C82IDContinuous Drain Current3TC = 100 C52IDM150Pulsed Drain Curre

Otros transistores... PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , IRFZ44 , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV .

History: NVJD5121N | DHBSJ13N65

 

 
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