PK5C8EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK5C8EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 624 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK5C8EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5C8EA даташит

 ..1. Size:811K  unikc
 pk5c8ea.pdf pdf_icon

PK5C8EA

PK5C8EA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.4m @VGS = 10V 30V 82A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 82 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 52 IDM 150 Pulsed Drain Curre

Другие IGBT... PA610DTF, PA610NV, PB5A2BA, PB5G2JU, PE5A0DZ, PE5A1BA, PE5G6EA, PK5A1BA, IRFZ44, PK5G6EA, PB210BC, PB210BD, PB210BI, PB210BM, PB210BTF, PB210BV, PB210HV