PK5C8EA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PK5C8EA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 624 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
PK5C8EA Datasheet (PDF)
pk5c8ea.pdf
PK5C8EAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.4m @VGS = 10V30V 82APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C82IDContinuous Drain Current3TC = 100 C52IDM150Pulsed Drain Curre
Другие MOSFET... PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , IRF540N , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918