PK552DX Todos los transistores

 

PK552DX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK552DX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 481 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK552DX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  unikc
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PK552DX

PK552DXDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.7m @VGS = 4.5V20V 56APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TC = 25 C56IDContinuous Drain Current3TC = 100 C36IDM70Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:435K  niko-sem
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PK552DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PK552DX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G20V 5.7m 56A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S1 G1 S2 G2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate

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History: HMS10N60K | FQD13N10LTF | TPCJ2101

 

 
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