PK552DX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK552DX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 481 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PK552DX
PK552DX Datasheet (PDF)
pk552dx.pdf
PK552DX Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 5.7m @VGS = 4.5V 20V 56A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C 56 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 36 IDM 70 Pulsed Drain Cu
pk552dx.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PK552DX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2 D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 20V 5.7m 56A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S1 G1 S2 G2 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate
Otros transistores... PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA , PK512BA , PK516BA , PK527BA , 2N7000 , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ .
History: SI5480DU
History: SI5480DU
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y