PK552DX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PK552DX  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 481 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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PK552DX datasheet

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PK552DX

PK552DX Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 5.7m @VGS = 4.5V 20V 56A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C 56 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 36 IDM 70 Pulsed Drain Cu

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PK552DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PK552DX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2 D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 20V 5.7m 56A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S1 G1 S2 G2 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate

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