PK552DX - аналоги и даташиты транзистора

 

PK552DX - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PK552DX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 481 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK552DX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK552DX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  unikc
 pk552dx.pdf pdf_icon

PK552DX

PK552DXDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID5.7m @VGS = 4.5V20V 56APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TC = 25 C56IDContinuous Drain Current3TC = 100 C36IDM70Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:435K  niko-sem
 pk552dx.pdf pdf_icon

PK552DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PK552DX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G20V 5.7m 56A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S1 G1 S2 G2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate

Другие MOSFET... PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA , PK512BA , PK516BA , PK527BA , IRFP250N , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ .

History: NCE15H10 | SLP12N65C | MTM68410 | AP4423GM-HF | NCE1550F | STW32NM50N | SVS80R900FJDE3

 

 
Back to Top

 


 
.