PK552DX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK552DX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 481 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK552DX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK552DX даташит

 ..1. Size:485K  unikc
 pk552dx.pdf pdf_icon

PK552DX

PK552DX Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 5.7m @VGS = 4.5V 20V 56A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TC = 25 C 56 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C 36 IDM 70 Pulsed Drain Cu

 ..2. Size:435K  niko-sem
 pk552dx.pdf pdf_icon

PK552DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PK552DX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2 D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 20V 5.7m 56A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S1 G1 S2 G2 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate

Другие IGBT... PB210BM, PB210BTF, PB210BV, PB210HV, PK510BA, PK512BA, PK516BA, PK527BA, 2N7000, PK600BA, PK608BA, PK608DY, PB544DU, PB544JU, PB554DY, PB555BA, PB560DZ