PB555BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PB555BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: PDFN2X2S
Búsqueda de reemplazo de PB555BA MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PB555BA datasheet
pb555ba.pdf
PB555BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25m @VGS = -10V -30V -8A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TA= 70 C -6.4 A IDM 30 Pulsed Drain Curr
pb555ba.pdf
P-Channel Enhancement Mode PB555BA NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 25m -8A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G GATE D
Otros transistores... PK527BA , PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , AON7408 , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645