Справочник MOSFET. PB555BA

 

PB555BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB555BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB555BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB555BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  unikc
 pb555ba.pdf pdf_icon

PB555BA

PB555BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25m @VGS = -10V-30V -8APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-8IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.4 AIDM30Pulsed Drain Curr

 ..2. Size:248K  niko-sem
 pb555ba.pdf pdf_icon

PB555BA

P-Channel Enhancement Mode PB555BANIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 25m -8AGSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G : GATE D

Другие MOSFET... PK527BA , PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , 2N7000 , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA .

History: H7N1004LM | TSJ10N10AT | NCE0160AG | SUD23N06-31 | HGN024N06SL | NCE0224AF

 

 
Back to Top

 


 
.