PB555BA - описание и поиск аналогов

 

PB555BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PB555BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X2S

Аналог (замена) для PB555BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB555BA даташит

 ..1. Size:831K  unikc
 pb555ba.pdf pdf_icon

PB555BA

PB555BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25m @VGS = -10V -30V -8A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TA= 70 C -6.4 A IDM 30 Pulsed Drain Curr

 ..2. Size:248K  niko-sem
 pb555ba.pdf pdf_icon

PB555BA

P-Channel Enhancement Mode PB555BA NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 25m -8A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G GATE D

Другие MOSFET... PK527BA , PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , AON7408 , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA .

History: PE506BA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.