PE506BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE506BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 263 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
Búsqueda de reemplazo de PE506BA MOSFET
PE506BA Datasheet (PDF)
pe506ba.pdf

PE506BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 38APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C38Tc = 100 C24IDContinuous Drain Current3TA = 25 C12ATA= 70 C9.8IDM60Pulsed Drain
Otros transistores... PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , PE504BA , IRF4905 , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , PE532DY , PE534BA , PE534SA .
History: SUD50N10-34P | AP6679BGP | HGW105N15M | AOI482 | IPW90R500C3 | TPCA8060-H | MTP8N50E
History: SUD50N10-34P | AP6679BGP | HGW105N15M | AOI482 | IPW90R500C3 | TPCA8060-H | MTP8N50E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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