PE506BA Todos los transistores

 

PE506BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PE506BA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 263 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3P

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PE506BA datasheet

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PE506BA

PE506BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 30V 38A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 38 Tc = 100 C 24 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 12 A TA= 70 C 9.8 IDM 60 Pulsed Drain

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