PE506BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE506BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 263 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: PDFN3X3P
Búsqueda de reemplazo de PE506BA MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PE506BA datasheet
pe506ba.pdf
PE506BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 30V 38A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 38 Tc = 100 C 24 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 12 A TA= 70 C 9.8 IDM 60 Pulsed Drain
Otros transistores... PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , PE504BA , IRF4905 , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , PE532DY , PE534BA , PE534SA .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n
