Справочник MOSFET. PE506BA

 

PE506BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PE506BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P

 Аналог (замена) для PE506BA

 

 

PE506BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  unikc
 pe506ba.pdf

PE506BA PE506BA

PE506BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 38APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C38Tc = 100 C24IDContinuous Drain Current3TA = 25 C12ATA= 70 C9.8IDM60Pulsed Drain

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top