Справочник MOSFET. PE506BA

 

PE506BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE506BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE506BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE506BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  unikc
 pe506ba.pdf pdf_icon

PE506BA

PE506BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 38APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C38Tc = 100 C24IDContinuous Drain Current3TA = 25 C12ATA= 70 C9.8IDM60Pulsed Drain

Другие MOSFET... PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , PE504BA , IRF4905 , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , PE532DY , PE534BA , PE534SA .

History: AOW20S60 | SI4800 | SSM3K03FV | OSG60R2K2FSF | SVG104R0NS | STW78N65M5 | AP60T03GH

 

 
Back to Top

 


 
.