PE506BA - описание и поиск аналогов

 

PE506BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE506BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE506BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE506BA даташит

 ..1. Size:446K  unikc
 pe506ba.pdf pdf_icon

PE506BA

PE506BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 30V 38A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 38 Tc = 100 C 24 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 12 A TA= 70 C 9.8 IDM 60 Pulsed Drain

Другие MOSFET... PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , PE504BA , IRF4905 , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , PE532DY , PE534BA , PE534SA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.