PE532DY Todos los transistores

 

PE532DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE532DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3S
 

 Búsqueda de reemplazo de PE532DY MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PE532DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:759K  unikc
 pe532dy.pdf pdf_icon

PE532DY

PE532DYDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID319m @VGS = 10V30V 21APDFN 3X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C21TC = 100 C13IDContinuous Drain Current3TA = 25 C7.5A

 8.1. Size:1073K  niko-sem
 pe532dx.pdf pdf_icon

PE532DY

Dual N-Channel Enhancement Mode PE532DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 30V 19m 21A G : GATE D : DRAIN S : SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

Otros transistores... PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , AON7410 , PE534BA , PE534SA , PE537BA , PE544JZ , PE548BA , PE548EA , PE552BA , PE600BA .

History: TSM301K12CQ | SVF7N65CDTR | AOE6930

 

 
Back to Top

 


 
.