PE532DY - описание и поиск аналогов

 

PE532DY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE532DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3S

Аналог (замена) для PE532DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE532DY даташит

 ..1. Size:759K  unikc
 pe532dy.pdf pdf_icon

PE532DY

PE532DY Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 19m @VGS = 10V 30V 21A PDFN 3X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 21 TC = 100 C 13 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 7.5 A

 8.1. Size:1073K  niko-sem
 pe532dx.pdf pdf_icon

PE532DY

Dual N-Channel Enhancement Mode PE532DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 30V 19m 21A G GATE D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

Другие MOSFET... PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , SPP20N60C3 , PE534BA , PE534SA , PE537BA , PE544JZ , PE548BA , PE548EA , PE552BA , PE600BA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.