PE532DY - аналоги и даташиты транзистора

 

PE532DY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE532DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
 

 Аналог (замена) для PE532DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE532DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:759K  unikc
 pe532dy.pdf pdf_icon

PE532DY

PE532DYDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID319m @VGS = 10V30V 21APDFN 3X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C21TC = 100 C13IDContinuous Drain Current3TA = 25 C7.5A

 8.1. Size:1073K  niko-sem
 pe532dx.pdf pdf_icon

PE532DY

Dual N-Channel Enhancement Mode PE532DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 30V 19m 21A G : GATE D : DRAIN S : SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

Другие MOSFET... PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , IRF9540N , PE534BA , PE534SA , PE537BA , PE544JZ , PE548BA , PE548EA , PE552BA , PE600BA .

 

 
Back to Top

 


 
.