PE614DX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PE614DX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PE614DX

PE614DX Datasheet (PDF)

..1. Size:512K unikc
pe614dx.pdf

PE614DXDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12.5m @VGS = 4.5V20V 30APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 10 VTC= 25 C30TC = 100 C19IDContinuous Drain Current3TA = 25 C11ATA= 70 C9IDM80Pulsed

..2. Size:349K niko-sem
pe614dx.pdf

PE614DX Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G : GATE 20V 12.5m 30A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 10 V TC = 25

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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