PE614DX - аналоги и даташиты транзистора

 

PE614DX - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE614DX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE614DX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE614DX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  unikc
 pe614dx.pdf pdf_icon

PE614DX

PE614DXDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12.5m @VGS = 4.5V20V 30APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 10 VTC= 25 C30TC = 100 C19IDContinuous Drain Current3TA = 25 C11ATA= 70 C9IDM80Pulsed

 ..2. Size:349K  niko-sem
 pe614dx.pdf pdf_icon

PE614DX

PE614DX Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G : GATE 20V 12.5m 30A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 10 V TC = 25

Другие MOSFET... PE544JZ , PE548BA , PE548EA , PE552BA , PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , IRFP450 , PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L .

History: NVMFS016N06C | NVMFS020N06C | JSM6435 | ME20N15F | DHD50N03 | IPA083N10N5 | CMI100N04

 

 
Back to Top

 


 
.