PE614DX - описание и поиск аналогов

 

PE614DX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE614DX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE614DX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE614DX даташит

 ..1. Size:512K  unikc
 pe614dx.pdf pdf_icon

PE614DX

PE614DX Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12.5m @VGS = 4.5V 20V 30A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 10 V TC= 25 C 30 TC = 100 C 19 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 11 A TA= 70 C 9 IDM 80 Pulsed

 ..2. Size:349K  niko-sem
 pe614dx.pdf pdf_icon

PE614DX

PE614DX Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2 PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G GATE 20V 12.5m 30A D DRAIN S SOURCE #1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 10 V TC = 25

Другие MOSFET... PE544JZ , PE548BA , PE548EA , PE552BA , PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , NCEP15T14 , PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L .

History: NVMFD5483NLT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.