Справочник MOSFET. PE614DX

 

PE614DX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PE614DX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P

 Аналог (замена) для PE614DX

 

 

PE614DX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  unikc
 pe614dx.pdf

PE614DX PE614DX

PE614DXDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12.5m @VGS = 4.5V20V 30APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 10 VTC= 25 C30TC = 100 C19IDContinuous Drain Current3TA = 25 C11ATA= 70 C9IDM80Pulsed

 ..2. Size:349K  niko-sem
 pe614dx.pdf

PE614DX PE614DX

PE614DX Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D1 D1 D2 D2PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G : GATE 20V 12.5m 30A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 10 V TC = 25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top