PE636BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE636BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 139 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: PDFN3X3P
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PE636BA datasheet
pe636ba.pdf
PE636BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 9m 33A D D D D G G GATE S #1 S S S G D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Volta
Otros transistores... PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , AO4407 , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU , APM4015K .
History: NCEP02515K | CHM3128JGP
History: NCEP02515K | CHM3128JGP
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